碳化硅陈建平
8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院
2022年4月27日 8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外，还要解决应力加大导致晶 2023年7月7日 中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小饭局回顾. 作为第三代半导体材料，碳化硅正成为行业研究的热点，其具有大禁带宽度、高击穿电场、高 中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小2023年12月7日 问题3：请问碳化硅行业的订单增长情况以及未来预期？ 答：碳化硅设备的电源配套业务，其实也是三、四年 通过进口替代获得的，从刚开始几十、几百万的订 四川英杰电气股份有限公司投资者关系活动记录表
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一起为陈小龙研究员点赞投票！| 国产化碳化硅晶片的开路人
2023年11月27日 陈小龙因在碳化硅研究方面取得的突出成就而获得中国科学院科技促进发展奖和中国发明协会发明创业特等奖。 陈小龙将带领团队继续专注于提高碳化硅晶体的 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备碳化硅，第三代半导体时代的中国机会--经济科技--人民网2023年1月24日 多年来，陈小龙带领团队立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备、高质量碳化硅晶体生长和加工等关键技术，实现了整套技术路线的自主可控。从基础到应用 碳化硅晶体研制获突破！ 知乎专栏
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉 2022年9月6日 原文标题：2022年中国碳化硅行业现状分析，衬底良率增高「图」 一、中国碳化硅发展历程及分类 1、碳化硅的发展历程自碳化硅被发现后数十年，发展进程一直较为缓慢。直到科锐成立并开始碳化硅的商 碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率 2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
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8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院
2022年4月27日 8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外，还要解决应力加大导致晶体开裂问题。. 在已有的研究基础上，2017年，陈小龙、博士生杨乃吉、副研究员李辉、主任工程师 2022年8月29日 人类历史上第一次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。. 随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究后长 关于碳化硅，把我知道的都告诉你|金刚石|肖特_网易订阅2023年8月8日 车规级碳化硅(SIC) 模块要做哪些测试验证？AEC—Q101是基于失效机理的离散半导体元件应力测试鉴定，由AEC委员会制定，于1996年发行，并持续更新到2021年的E版本，也是目沿用的最新标准。适用于车用离散半导体元件的综合可靠性测试认证标准碳化硅(SiC)火爆！上半年SiC车型销量超120万辆—车规AEC
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现场火爆！开年直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术
2023年2月23日 开年直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术沿进展. 近日，在第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）上，“碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术“分论坛胜利召开。. 该分论坛由宁波恒普真空科技股份有 2023年2月8日 陈小龙：整个碳化硅宽禁带半导体，和国际上最先进的水平还是有些差距的，在晶圆方面应该有2-3年的差距，外延方面，研究本身差距不大，但是产业化方面会有一些差距，良率不如人家高。【闳议】陈小龙：“双碳”目标下碳化硅产业处爆发开始阶段大2023年12月4日 卢雪明*,唐小兵,幸志刚,欧阳家淦,陈建平 卢雪明*,唐小兵,幸志刚,欧阳家淦, 陈烁如 6 2021-12-10 经营范围 货物进出口(专营专控商品除外);技术进出口;电子、通信与自动控制技术研究、开发;通信系统设备制造;通信终端设备制造;电子工业专用设备制造广州三晶电气股份有限公司 爱企查
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碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
2023年10月27日 陈之战等研究了 SiC 粉体在生长过程中的物相变化及对单晶均匀性、缺陷等的影响，发现在使用 β-SiC 粉体生长 SiC 单晶时，在晶体生长过程中存在着向 α-SiC 的相转变，造成气相组分中的 Si /C摩尔比变化较大，对晶体生长产生不利影响。2023年3月31日 1.碳化硅结构. 碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大 (单位是电子伏特 (ev))、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高，热导率以及抗辐射等关键 参数方面有显著优势。. 可以满足高温、 揭秘：详解第三代半导体之碳化硅基础 知乎2021年12月16日 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。. 1、背景与 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
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中国科学院光电技术研究所 IOE
光电所携量子通信地面望远镜、紫外光刻机、碳化硅轻量化反射镜、超精密光学元件及微光学元器件等十余项科技成果以及下属企业相关产品如期与观众见面。. 同期，2021年“中国光电博览奖”揭晓，光电所“紫外光刻机”项目荣获本届“中国光电博览奖”银奖2021年6月28日 或许是为了把故事讲得更加圆满，露笑科技在2020年年报中，拉来了从事碳化硅研究的陈之战博士。据露笑科技的说法，曾任世纪金光技术总监的陈博士，开发了国内第一条4英寸碳化硅衬底片生产线。但因为6英寸及以后需要更多产业化支持，所以选择了露笑。露笑科技，真的把人整笑了 知乎2022年3月2日 1. SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心. 1.1. SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越. 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。. 核心分为以下三代：. 1) 第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
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让新能源汽车电机更小更轻的碳化硅，在中国发展情况怎么样
2020年11月25日 总之，碳化硅（SiC）损耗更低，更省电；速度更快，频率更高；器件体积更小，更适合做电驱电控一体化。. 国内外的企业都已意识到了碳化硅（SiC）的先进性并纷纷布局。. 从上世纪80年代开始，丰田已经研究布局碳化硅（SiC），比国际同行提30年。. 2022年1月12日 岳先进主营业务为宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料，主要产品为碳化硅（SiC）衬底。碳化硅材料能够突破传统硅半导体的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的半导体器件，具备用于5G基站、特高压、新能源、大数据中心等 华为持股7%！国产碳化硅龙头上市，市值超370亿元 知乎2020年3月5日 陈启：目核心的半导体产业公司，包括设计公司、制造公司、封装测试公司、设备公司、半导体材料公司、半导体辅助制造等我统计大约在110家左右，其中主营业务50%来自半导体行业的大约有70余家。. 光伏、LED等泛半导体行业未统计进去，还有不少公 陈启：2020之半导体行业投资逻辑梳理 【以下为访谈文字实录
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中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小
2023年7月7日 半绝缘型碳化硅衬底主要应用在5G基站、雷达等领域；导电型碳化硅衬底主要应用在新能源汽车（主逆变器等）、充电桩、电源等方面。 碳化硅产业链环节极长，衬底制备是碳化硅产业链中最关键、难度最高的环节。 在衬底制备环节中，晶体生长又是最困难的2023年3月21日 碳化硅是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC 。它是一种耐高温、硬度高、抗腐蚀、耐磨损的陶瓷材料，也被广泛应用于电子器件和光学器件中。作为陶瓷材料 高硬度：碳化硅具有很高的硬度，约为金刚石的80%，能够很好地抵抗磨损和碳化硅是什么材料？ 知乎2022年2月18日 目碳化硅产业下游需求旺盛，但上游材料端工艺和良率瓶颈亟待突破，产能不足现象严重制约碳化硅应用起量。. 无论是上游还是下游，皆呈现“得材料者得下”的态势。. 本文主要内容来自《【方正电子行业深度报告】碳化硅（SiC）行业研究框架 ——“新“新能半导”大时代新核“芯”——一文读懂碳化硅 百家号
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系统成本或两年内追平硅基IGBT，碳化硅MOS新能源车后
2022年7月7日 陈昭亮表示，“从应用端来看，碳化硅MOSFET落地的时间非常短，从碳化硅落地和整车层面的应用这一链条尚未打通，一些诸如短路耐受时间等指标没有得到足够多的验证，碳化硅MOSFET在车载领域的稳定性和寿命等指标还需要时间和实践验证。2021年12月9日 陈小龙：回顾整个产业化走过的15年路程，首先企业能够成长起来，必须感谢国家各个部门的大力支持，因为在早期，碳化硅下游产业没有牵引，主要是受到包括国家自然科学基金委、科技部、北京市、新疆生产建设兵团等等的资金方面的大力支持，应该说国家对【闳议】“双碳”目标下碳化硅产业处爆发开始阶段 大尺寸化成2021年10月29日 10月29日，中国共产党竹山县第十五届委员会第一次全体会议召开。陈建平当选为县委书记，王丽媛、王宇星当选为县委副书记。陈建平、王丽媛、王宇星、何垚辰、刘专、明昌艳、范奇、张涛、杨明章、任卓、熊应标当选为常务委员会委员。中国共产党竹山县第十五届委员会第一次全体会议召开，陈
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